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台湾研发出全球最小9纳米超节能内存

发布时间:2010-12-20 | 【打印】 【关闭】

据香港中通社报道,台湾“国研院”纳米(台称“奈米”)组件实验室领先全球,开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞;这个新内存在几乎不需耗电的情况下,1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据,将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性,这项技术预计在5到10年内进入量产。

台湾“国研院”院长陈文华,以及负责“9纳米超节能内存”开发的何家骅博士12月14日召开记者会,公布这项重大研究成果。

何家骅指出,随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加,如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存,是全球研究人员努力的目标。

如今台湾开发出最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞,容量比现在的闪存增大20倍,但耗电量却降低了200倍,应用这个技术在1平方厘米面积下,可以储存1个图书馆的文字数据,而且可再借立体堆栈设计,进一步提升容量,让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。

这项重要开发成果已于12月8日在美国旧金山举行的国际电子组件会议(IEDM)正式发表,引起国际微电子产学研界高度重视。

何家骅预料,这项新技术5到10年内量产,届时将可对全球新台币1兆元的传统闪存产生重大贡献,也希望这项技术能在2025年时有机会协助台湾于全球闪存的市场占有率提升至10%以上的产值。

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