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设备详细介绍
反应离子刻蚀系统
Reactive Ion Etching System
发布时间:2013-01-16 |
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型
号:
SENTECH
Etchlab
200
功
能:
硅、氧化硅、氮化硅以及金属的刻蚀
Etching of silicon, silicon oxide, silicon
nitride and metals
主要配置:
气体
(Gas lines)
:
CF
4
、
CHF
3
、
Ar
、
O
2
、
SF
6
基片
(Wafer size)
:
小于
200 mm
的各种基片
(up to 200 mm wafers)
射频电源功率
(RF power)
:
600 W
刻蚀选择比
(Selection ratio)
:
3
:
1
不均匀性
(
Nonuniformity
)
:<
3%
技术特点:
稳定性和重复性好
Good stability and repeatability
均匀性好
Good uniformity
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