设备详细介绍

快速合金炉RTP

Rapid Thermal Process Furnace

发布时间:2013-01-25 | 【打印】 【关闭】

 

  型   号: RTP – 3

  功   能:

  • 基片的快速加热处理
    Rapid thermal process of wafers

  主要配置:

  • 载片(Wafers)直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
  • 气体(Gas lines)Ar, N2
  • 光源(Light sources)1200 W×21只卤钨灯(1200W × 21 tungsten halogen  lamps)
  • 温度范围(Temperature range): 150~1000
  • 升温速率(Heating rate)0.01~ 100℃ / s

  

  技术特点:

  • 有效加热区大
    Large thermal zone
  • 温度稳定性和均匀性好
    Good temperature uniformity and stability