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中心荣获两项2016年度北京市科学技术奖
 

  426,北京市委、市政府在北京会议中心隆重举行2016年度北京市科学技术奖励大会。中共中央政治局委员、北京市委书记郭金龙,中共北京市委副书记、市长蔡奇,科技部党组成员、副部长李萌,北京市委常委、副市长阴和俊,北京市委常委、市委教育工委书记林克庆,北京市人大常委会副主任杨艺文,北京市政协副主席闫仲秋,国家科学技术奖励工作办公室主任邹大挺出席大会并为获奖代表颁奖。蔡奇代表市委、市政府在大会上讲话。阴和俊主持大会。 

  在这次奖励大会上,中心申报的两个项目全部获奖,分别是蒋兴宇研究员负责的项目“基于金纳米颗粒的分析与检测”荣获二等奖,获奖人员包括:蒋兴宇、刘定斌、鲜于运雷、郭永明、王卓。何军研究员负责的项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”荣获三等奖,获奖人员包括:何军、王振兴、江潮、詹雪莹。这是中心继2015年度作为第一完成单位首次荣获北京市科技二、三等奖以来,再次作为第一完成单位同年度荣获北京市科技二、三等奖。 

  项目“基于金纳米颗粒的分析与检测”发展了一系列基于金纳米颗粒的可视化分析新方法,并将其应用于重金属离子分子检测、高灵敏度蛋白质检测、逻辑门构建等,实现了分析检测向简单、快速、低成本、可视化、微型化方向转化。譬如,应用金纳米颗粒的可视化信号输出方式,开展了系列基于金纳米颗粒表面修饰的分析检测工作,实现了对多种重金属离子和小分子的检测分析;发展了基于金纳米颗粒的高灵敏蛋白质检测体系,为即时检测(Point-of–Care-Test)提供了有效工具;设计了一系列基于金纳米颗粒的分子逻辑门,实现了可视化逻辑门读出。该项目为发展简单、快捷、低成本、现场实时检测的分析方法奠定了基础,在疾病检测、食品安全和环境监测等方面有着极大的应用价值。10篇代表性论文被SCI 他引819次。 

  项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”围绕低维硫族半导体可控制备及器件应用展开研究,取得了一系列在国际上有较大影响力的原创性基础研究成果。在非层状硫族半导体二维化生长方面,从六方晶体到立方晶体结构,从单组分到复杂三组分体系,分别实现了多种晶体结构非层状材料的二维化,极大地拓展了二维材料的研究范围。在低维拓扑晶态绝缘体表面态调控方面,候选人最早提出通过合成低维结构来增强表面态,首次从实验上获得了三种拓扑晶态绝缘体低维结构,并且首次观测到了SnTePb1-xSnxSe Pb1-xSnxTe纳米结构中AB振荡、sdH振荡及弱反局域化效应,首次从实验上证实了理论预测。10篇代表性论文被SCI 他引338次。 

  2016年度,共有180项成果荣获北京市科学技术奖,包括一等奖27项,二等奖60项,三等奖93项。

项目“基于金纳米颗粒的分析与检测”获奖证书

第一完成人蒋兴宇研究员获奖证书

项目“新型低维硫族半导体材料可控制备及器件应用”获奖证书

第一完成人何军研究员获奖证书

 


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