纳米标准与检测重点实验室第271期学术报告

发布时间:2021-10-08 | 【打印】 【关闭】

报告题目1:单层石墨烯在双重对齐氮化硼moiré周期势中的电子关联态

报 告 人:韩拯 教授,山西大学

时 间:2021年10月9日(周六)下午13:00-14:00

地 点:国家纳米科学中心 南楼二层会议室

邀 请 人:刘新风 研究员

报告摘要

  范德华层状功能材料能够以‘纳米积木’的方式,堆叠、构建新架构,无需晶格匹配即可“自下而上”的垂直组装。该体系近年来迅猛发展,不断在微纳器件的新制造方式、新原理、新范式、新尺寸极限方面取得重要突破。

  其中,旋转电子学(Twistronics)是最为引人关注的题目之一。通过精确旋转堆叠,人们能够从原子层次操控晶格结构在界面处的对称性,从而彻底改变材料的本体性能。例如,两层原本不超导的石墨烯通过扭转1.1度(魔角,magic angle)的操作,实现了首个碳基材料中电压可调控的本征二维超导等关联电子态。

  本报告主要介绍我们近期在双重对齐氮化硼moiré周期势中的单层石墨烯电子输运实验进展。报告将介绍双重对齐moiré超晶格的样品制备、低温测试,并探讨在该型上下表面双重对齐moiré超晶格unit cell中-4到-8电子填充之间的弱相互作用关联绝缘态(也即-5、-6、-7n0的partial filling处)电磁输运行为,及背后可能的物理机制。

个人简介

  韩拯,山西大学光电研究所韩拯教授主要在量子材料与器件方面开展研究,在二维磁性材料与器件、新型结构场效应晶体管、二维电子气低温磁场下的电输运等方面在Science、Nature Communications、Nature Nanotechnology、Nature Physics等杂志发表多篇论文。入选国家海外青年人才计划(2015)、国家级人才特殊支持计划(2020)。入选沈阳市第四批高层次人才杰出人才、山西青年五四奖章、“MIT科技评论”中国区35岁以下创新35人等。

  

报告题目2:无机钙钛矿稳定性及高性能光电器件的研究

报 告 人:臧志刚 教授,重庆大学

时 间:2021年10月9日(周六)下午14:00-15:00

地 点:国家纳米科学中心 南楼二层会议室

邀 请 人:刘新风 研究员

报告摘要

  Inorganic cesium lead halide perovskites (CsPbX3, X = Cl, Br, I) have attracted enormous attention as a novel optoelectronic material with enhanced stability. However, the perovskite CsPbX3 thin films fabricated by one-step spin coating method contain the defects of voids or pinholes, seriously affecting their device performance. To solve this issue, the ligand modification and seeded growth method will be demonstrated in this talk. Their corresponding white light emitting diodes, photodectors and solar cells will also be introduced.

个人简介

  臧志刚,重庆大学光电工程学院教授,2011年获日本国立九州大学应用电子学博士学位。先后入选 “长江学者奖励计划”青年学者、首批重庆英才创新领军人才、重庆市杰出青年基金获得者,主要从事低维半导体薄膜光电器件的研究。主持国防科工局十三五计划、国家863军口、国家面上等项目18项;以第一或通讯作者发表SCI论文80篇,IF>10的25篇,SCI 他引8220次,ESI论文26篇;以第一完成人先后获得重庆市自然科学二等奖、重庆市创新争先奖、重庆市十佳青年科技奖、中国产学研合作创新奖、国际IEEE光子学会青年科学家奖等奖励10项。

  

报告题目3:器件可靠性的原位透射电子显微学研究

报 告 人:吴幸 教授,华东师范大学

时 间:2021年10月9日(周六)下午15:00-16:00

地 点:国家纳米科学中心 南楼二层会议室

邀 请 人:刘新风 研究员

报告摘要

  低功耗非易失性存储器是信息存储领域的重要组成部分,其工作可靠性问题是目前研究的热点之一。随着“后摩尔时代”的到来,技术节点向亚5纳米逐步迫近,器件的特征尺寸已经触及到物理规律的极限。传统的电学表征工具不能满足原子尺度下的高精度研究,需要采用表征器件微观结构与成分动态变化的有效工具和技术。透射电子显微镜(TEM)能够精确表征器件内部原子尺度的结构信息与化学组成。TEM具备更高的空间、能量、时间分辨率,并且能够实现多场耦合,与不同的原位样品杆结合(如热、电、机械、光学和磁场),能够进一步实时观察非易失性存储器在不同外场环境下的读写行为和结构动态演变过程。为非易失性存储器性能提高、结构设计与未来发展起到一定的指导性作用。

  本报告将介绍原位透射电子显微技术,分析电子显微学在表征器件微纳结构与化学组分领域的特点与优势,总结原位TEM应用于多种非易失性存储器的存储机制与封装可靠性的最新研究进展,并展望其未来的研究设计与发展方向。

个人简介

  吴幸,女,华东师范大学通信与电子工程学院,教授、博导、副院长,教育部青年长江学者。主要从事低维材料器件的原位测试与表征。在Nature子刊、AM、IEEE EDL等发表SCI论文139篇,获得授权发明专利28项。

 

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